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2SA1943散

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2SA1943散 技術參數
  • 2SA1943RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:25 2SA1943OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:25 2SA1943-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3PL 供應商器件封裝:TO-3P(L) 標準包裝:100 2SA1943N(S1,E,S) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:150 2SA1931,SINFQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L
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