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2SB1197K/

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  • 2SB1197K/AHQ
    2SB1197K/AHQ

    2SB1197K/AHQ

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 30000

  • ROHM

  • SOT-23

  • 18+

  • -
  • 長期供應

  • 2SB1197K/AHQ
    2SB1197K/AHQ

    2SB1197K/AHQ

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • ROHM

  • 2011

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SB1197K/AHS
    2SB1197K/AHS

    2SB1197K/AHS

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • ROHM

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -
  • 2SB1197K/AHS
    2SB1197K/AHS

    2SB1197K/AHS

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • ROHM

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SB1197K/R
    2SB1197K/R

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ROHM

  • SOT-23

  • 09/10+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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2SB1197K/ 技術參數
  • 2SB1189T100R 功能描述:TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1189T100Q 功能描述:TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1188T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1188T100Q 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1188T100P 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SB1202S-TL-E 2SB1202T-E 2SB1202T-TL-E 2SB1203S-E 2SB1203S-H 2SB1203S-H-TL-E 2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-H 2SB1203T-E 2SB1203T-H 2SB1203T-H-TL-E 2SB1203T-TL-E 2SB1203T-TL-H 2SB1204S-E 2SB1204S-TL-E 2SB1204T-E 2SB1204T-TL-E 2SB1205S-E
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