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2SC2814-4-TB-E

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說明
操作

2SC2814-4-TB-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
SANYO
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2SC2814-4-TB-E
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
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功能描述
TRANS NPN 20V 30MA 3CP
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT)
系列
-
產品變化通告
Product Discontinuation 17/Dec/2010
標準包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
4.7V
頻率 - 轉換
47GHz
噪聲系數（dB典型值@頻率）
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益
9dB ~ 31dB
功率 - 最大
160mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
160 @ 25mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
45mA
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
4-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
4-TSFP
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
BFP 740FESD E6327DKR

2SC2814-4-TB-E 技術參數

2SC2812N6-TB-E 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SC2812N6-CPA-TB-E 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SC27780CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:230MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SC2714-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2714-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2988 2SC3063 2SC3074-O(Q) 2SC3074-Y(Q) 2SC31300QL 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M 2SC3263 2SC3264 2SC3265-Y,LF 2SC3284 2SC3311A0A 2SC3311AQA 2SC3311ARA 2SC3311ASA 2SC33120RA 2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324GRTE85LF