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2SC5101_01

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  • 制造商
  • SANKEN
  • 制造商全稱
  • Sanken electric
  • 功能描述
  • Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SC5101_01 技術參數
  • 2SC5101 功能描述:TRANS NPN 140V 10A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SC5100 功能描述:TRANS NPN 120V 8A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:- 標準包裝:1,080 2SC5099 功能描述:TRANS NPN 80V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):6A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 2A,4V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SC5096-R,LF 功能描述:TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:1.4dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 7mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5096-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 7mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200RTU 2SC5201(T6MURATAFM 2SC5201(TE6,F,M) 2SC5201,F(J 2SC5201,T6F(J 2SC5201,T6MURAF(J 2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-5-TL-E 2SC5227A-4-TB-E 2SC5227A-5-TB-E 2SC5231A-8-TL-E
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