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2SCR533DTL

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  • 2SCR533DTL
    2SCR533DTL

    2SCR533DTL

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 660

  • ROHM

  • 2011

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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  • 制造商
  • ROHM Semiconductor
  • 功能描述
2SCR533DTL 技術參數
  • 2SCR523V1T2L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VML 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件狀態:Not Recommended For New Designs 標準包裝:8,000 2SCR523UBTL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SCR523MT2L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SCR523EBTL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SCR522UBTL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:3,000 2SCR544PT100 2SCR544RTL 2SCR552P5T100 2SCR552PFRAT100 2SCR552PT100 2SCR553P5T100 2SCR553PFRAT100 2SCR553PT100 2SCR554P5T100 2SCR554PFRAT100 2SCR554PT100 2SCR554RTL 2SCR572D3TL1 2SCR573D3TL1 2SCR574D3TL1 2SCR574DGTL 2SCR586D3TL1 2SD05920RA
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