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2SCR586D3TL1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SCR586D3TL1
    2SCR586D3TL1

    2SCR586D3TL1

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 80

  • ROHM

  • TO-252

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 2SCR586D3TL1
    2SCR586D3TL1

    2SCR586D3TL1

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 2500

  • ROHM

  • TO-252-3 (DPAK) (SC-

  • 20+

  • -
  • 原裝現貨,假一賠百,支持實單

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2SCR586D3TL1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • -
  • 零件狀態
  • 在售
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 5A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 80V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 300mV @ 100mA,2A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大值
  • 10W
  • 頻率 - 躍遷
  • 200MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 供應商器件封裝
  • TO-252
  • 標準包裝
  • 1
2SCR586D3TL1 技術參數
  • 2SCR574DGTL 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SCR574D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2SCR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2SCR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2SCR554RTL 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD0602ASL 2SD0814ARL 2SD0814ASL 2SD08740RL 2SD0874A0L 2SD0874GRL 2SD08750RL 2SD08750SL 2SD0875GSL 2SD0946AR 2SD0946B 2SD09650RA 2SD09660Q 2SD09660R 2SD0968A0L 2SD0968ARL 2SD1012F-SPA 2SD1012F-SPA-AC
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