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2SD1012G

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SD1012G
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
原廠
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

2SD1012G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANYO
TO-92S
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SD1012G-SPA
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4383
SANYO
TO-92S
2222+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK

2SD1012G 技術參數

2SD1012F-SPA-AC 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:2,500 2SD1012F-SPA 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:500 2SD0968ARL 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F1 標準包裝:1 2SD0968A0L 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A MINIPWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F1 標準包裝:1 2SD09660R 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:340 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92L-A1 標準包裝:200 2SD1060S-1E 2SD1060S-1EX 2SD1060S-JKH-1E 2SD106AI-17 UL 2SD11190RL 2SD1119GRL 2SD11490RL 2SD11490SL 2SD11990S 2SD1207S 2SD1207S-AE 2SD1207T 2SD1207T-AE 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P