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2SD1060-S

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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2SD1060-S 技術參數
  • 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060R-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1048-7-TB-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SD1048-6-TB-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SD1047P-E 功能描述:TRANS NPN 140V 12A TO-3PB 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,5V 功率 - 最大值:120W 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SD1207S 2SD1207S-AE 2SD1207T 2SD1207T-AE 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P
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