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2SD1209(K)TZ

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2SD1209(K)TZ 技術參數

2SD1207U 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:280 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:500 2SD1207T-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:1 2SD1207T 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:500 2SD1207S-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:1 2SD1207S 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:500 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP 2SD1276AP 2SD12770P 2SD1277AP 2SD12800RL 2SD12800SL 2SD12950RL 2SD13020RA 2SD132800L 2SD13280RL