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2SD1221-GR(2-7B2A)

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2SD1221-GR(2-7B2A) 技術參數
  • 2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:185 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92L-A1 標準包裝:200 2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92L-A1 標準包裝:200 2SD1207U 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:280 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:500 2SD1207T-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:1 2SD1207T 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:500 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP 2SD1276AP 2SD12770P 2SD1277AP 2SD12800RL 2SD12800SL 2SD12950RL 2SD13020RA 2SD132800L 2SD13280RL 2SD13280SL 2SD13280TL
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