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2SD1857L

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
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2SD1857L 技術參數
  • 2SD1857ATV2Q 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1857ATV2P 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1835T-AA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SSIP 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1 2SD1835T 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:500 2SD1835S-AA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1 2SD1862TV2Q 2SD1862TV2R 2SD1863TV2Q 2SD1863TV2R 2SD1864TV2Q 2SD1864TV2R 2SD1866TV2 2SD1867TV2 2SD1898T100P 2SD1898T100Q 2SD1898T100R 2SD1913S 2SD1918TLQ 2SD1938FSL 2SD1938FTL 2SD1949T106Q 2SD1949T106R 2SD1963T100R
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