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2SD1859TV2P

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2SD1859TV2P 技術參數
  • 2SD1858TV2R 功能描述:TRANS NPN 32V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1858TV2Q 功能描述:TRANS NPN 32V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1858TV2P 功能描述:TRANS NPN 32V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1857TV2R 功能描述:TRANS NPN 120V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1857TV2Q 功能描述:TRANS NPN 120V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1866TV2 2SD1867TV2 2SD1898T100P 2SD1898T100Q 2SD1898T100R 2SD1913S 2SD1918TLQ 2SD1938FSL 2SD1938FTL 2SD1949T106Q 2SD1949T106R 2SD1963T100R 2SD1963T100S 2SD19790SL 2SD1979GSL 2SD1980TL 2SD1991A0A 2SD1991ARA
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