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2SD1865TV2R

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2SD1865TV2R 技術參數
  • 2SD1864TV2R 功能描述:TRANS NPN 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:90MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SD1864TV2Q 功能描述:TRANS NPN 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:90MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SD1863TV2R 功能描述:TRANS NPN 80V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SD1863TV2Q 功能描述:TRANS NPN 80V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SD1862TV2R 功能描述:TRANS NPN 32V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1949T106Q 2SD1949T106R 2SD1963T100R 2SD1963T100S 2SD19790SL 2SD1979GSL 2SD1980TL 2SD1991A0A 2SD1991ARA 2SD1992A0A 2SD1994ARA 2SD1994ASA 2SD19960RA 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014
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