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2SD1938(F)-ST(TX)

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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2SD1938(F)-ST(TX) 技術參數
  • 2SD1918TLQ 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD1913S 功能描述:TRANS NPN 60V 3A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SD1898T100R 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD1898T100Q 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD1898T100P 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD1991A0A 2SD1991ARA 2SD1992A0A 2SD1994ARA 2SD1994ASA 2SD19960RA 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S
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