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2SK06630RL

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SK06630RL
    2SK06630RL

    2SK06630RL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2900

  • PANASONIC

  • ROHS

  • 1315+

  • -
  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • 2SK06630RL
    2SK06630RL

    2SK06630RL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 2850

  • PANASONIC

  • ROHS

  • 201333

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存,400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
2SK06630RL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> JFET(結點場效應
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 8,000
  • 系列
  • -
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 1.2mA @ 10V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 漏極電流 (Id) - 最大
  • 10mA
  • FET 型
  • N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
  • -
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id
  • 180mV @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 4pF @ 10V
  • 電阻 - RDS(開)
  • 200 歐姆
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應商設備封裝
  • 3-ECSP1006
  • 功率 - 最大
  • 100mW
2SK06630RL 技術參數
  • 2SK06620RL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):500μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):100mV @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標準包裝:1 2SK0615 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:M-A1 標準包裝:1,000 2SK0601G0L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F2 標準包裝:1 2SK060100L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F1 標準包裝:1 2SK01980RL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):500μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):100mV @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標準包裝:1 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F)
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