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2SK1070PICTL-E

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  • 2SK1070PICTL-E
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • SOT23

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 2SK1070PICTL-E
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：馬先生

    電話：19166264056

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66880

  • RENESAS

  • SOT-23

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  • 2SK1070PICTL-E
    2SK1070PICTL-E

    2SK1070PICTL-E

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯系人：林先生

    電話：15913992480

    地址：深圳市龍崗區板田街道荔園新村55棟1樓

  • 11997

  • RENESAS

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    2SK1070PICTL-E

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 10000

  • RENESAS

  • SMD

  • 15+

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  • 原裝正品，假一罰十

  • 2SK1070PICTL-E
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    2SK1070PICTL-E

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 4650

  • RENESAS

  • SOT-23

  • 06+pb

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Trans JFET N-CH 50mA Si 3-Pin MPAK T/R Cut Tape
2SK1070PICTL-E 技術參數
  • 2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:160V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK0665G0L 功能描述:MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 20mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK066500L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 20mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK0664G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 20mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK066400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 20mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F)
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