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2SK2112-T2(NV)

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    2SK2112-T2(NV)

    2SK2112-T2(NV)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 15627

  • NEC

  • SOT89

  • 2025+

  • -
  • 不怕你不買只怕你不問

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2SK2112-T2(NV) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
2SK2112-T2(NV) 技術參數
  • 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:10V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SK209-GR(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:10V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SK209-BL(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:10V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SK2095N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):95 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FN 標準包裝:500 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A
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