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2SK2414-Z-E2

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  • 2SK2414-Z-E2
    2SK2414-Z-E2

    2SK2414-Z-E2

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • NEC

  • SOT-252

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 2SK2414-Z-E2
    2SK2414-Z-E2

    2SK2414-Z-E2

  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8277481983249326

    地址:銷售一部:華強北上步工業區501棟401室 銷售二部:深圳市福田區紅荔路上航大廈411室

    資質:營業執照

  • 18530

  • NEC

  • TO263

  • 20+

  • -
  • 公司常備大量原裝現貨,價優!

  • 2SK2414-Z-E2
    2SK2414-Z-E2

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • TO-252

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK2414-Z-E2
    2SK2414-Z-E2

    2SK2414-Z-E2

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9866

  • NEC

  • TO263

  • 06+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 2SK2414-Z-E2
    2SK2414-Z-E2

    2SK2414-Z-E2

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 3330

  • NEC

  • TO-252

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共26條 
  • 1
2SK2414-Z-E2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
2SK2414-Z-E2 技術參數
  • 2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):16mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):300mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):300mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK23800QL 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1.3V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F2 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:3,000 2SK2376(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3350pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3(SMT)標片 供應商器件封裝:TO-220FL 標準包裝:50 2SK2315TYTR-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 1A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):173pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:UPAK 標準包裝:1,000 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL
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