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2SK3079ATE12L

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK3079ATE12LQ
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
30071
Toshiba
PW-X-4
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

2SK3079ATE12LQ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

2SK3079ATE12LQ
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4100
TOSHIBA S
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

2SK3079ATE12LQ
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
773
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

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2SK3079ATE12L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

2SK3079ATE12L 技術(shù)參數(shù)

2SK3078A(TE12L,F) 功能描述:FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:8dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:500mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:28dBm 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3075(TE12L,Q) 功能描述:MOSF RF N CH 30V 5A PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道頻率:520MHz 增益:11.7dB 電壓 - 測試:9.6V 額定電流:5A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:7.5W 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-271AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3074TE12LF 功能描述:MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道頻率:520MHz 增益:14.9dB 電壓 - 測試:9.6V 額定電流:1A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:630mW 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3068(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3065T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ