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30C0862

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30C0862 技術參數

30C02MH-TL-H 功能描述:TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:190mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:540MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:3,000 30C02MH-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:190mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:540MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:3,000 30C02CH-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:190mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:700mW 頻率 - 躍遷:540MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 30C01SS-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 0.4A 3SSFP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:1 30BQ200TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:920mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 30CPQ035 30CPQ040 30CPQ045 30CPQ050 30CPQ060 30CPQ080 30CPQ090 30CPQ100 30CPQ135 30CPQ140 30CPQ150 30CPQ200 30CPU04 30CTH02 30CTH02-1 30CTH02FP 30CTH02S 30CTH02STRL