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3EZ10D2

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
Silicon 3 Watt Zener Diode

3EZ10D2 技術參數

3EZ10D10E3/TR8 功能描述:Zener Diode 10V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 3EZ10D10E3/TR12 功能描述:Zener Diode 10V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 3EZ10D10/TR8 功能描述:Zener Diode 10V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 3EZ10D10/TR12 功能描述:Zener Diode 10V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 3EZ10D/TR8 功能描述:Zener Diode 10V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 3EZ10DE3/TR12 3EZ10DE3/TR8 3EZ110D/TR12 3EZ110D/TR8 3EZ110D10/TR12 3EZ110D10/TR8 3EZ110D10E3/TR12 3EZ110D10E3/TR8 3EZ110D2/TR12 3EZ110D2/TR8 3EZ110D2E3/TR12 3EZ110D2E3/TR8 3EZ110D5/TR12 3EZ110D5/TR8 3EZ110D5E3/TR12 3EZ110D5E3/TR8 3EZ110DE3/TR12 3EZ110DE3/TR8