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3EZ43D4

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  • Silicon 3 Watt Zener Diode
3EZ43D4 技術參數
  • 3EZ43D2E3/TR8 功能描述:Zener Diode 43V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1,500 3EZ43D2E3/TR12 功能描述:Zener Diode 43V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:4,000 3EZ43D2/TR8 功能描述:Zener Diode 43V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1,500 3EZ43D2/TR12 功能描述:Zener Diode 43V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:4,000 3EZ43D10E3/TR8 功能描述:Zener Diode 43V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1,500 3EZ47D10/TR8 3EZ47D10E3/TR12 3EZ47D10E3/TR8 3EZ47D2/TR12 3EZ47D2/TR8 3EZ47D2E3/TR12 3EZ47D2E3/TR8 3EZ47D5/TR12 3EZ47D5/TR8 3EZ47D5E3/TR12 3EZ47D5E3/TR8 3EZ47DE3/TR12 3EZ47DE3/TR8 3EZ5.1D/TR12 3EZ5.1D/TR8 3EZ5.1D10/TR12 3EZ5.1D10/TR8 3EZ5.1D10E3/TR12
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