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3EZ5.6D3

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  • Silicon 3 Watt Zener Diode
3EZ5.6D3 技術參數
  • 3EZ5.6D2E3/TR8 功能描述:Zener Diode 5.6V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 3EZ5.6D2E3/TR12 功能描述:Zener Diode 5.6V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 3EZ5.6D2/TR8 功能描述:Zener Diode 5.6V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 3EZ5.6D2/TR12 功能描述:Zener Diode 5.6V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 3EZ5.6D10E3/TR8 功能描述:Zener Diode 5.6V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 3EZ51D10/TR8 3EZ51D10E3/TR12 3EZ51D10E3/TR8 3EZ51D2/TR12 3EZ51D2/TR8 3EZ51D2E3/TR12 3EZ51D2E3/TR8 3EZ51D5/TR12 3EZ51D5/TR8 3EZ51D5E3/TR12 3EZ51D5E3/TR8 3EZ51DE3/TR12 3EZ51DE3/TR8 3EZ56D/TR12 3EZ56D/TR8 3EZ56D10/TR12 3EZ56D10/TR8 3EZ56D10E3/TR12
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