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3LN03S

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 3LN03S-TL-E
    3LN03S-TL-E

    3LN03S-TL-E

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 72540

  • SANYO

  • SMCP

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • 3LN03SS-TL-E
    3LN03SS-TL-E

    3LN03SS-TL-E

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • SANYO

  • SOT523

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 3LN03SS
    3LN03SS

    3LN03SS

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT-723

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨?。。?/p>

3LN03S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
3LN03S 技術(shù)參數(shù)
  • 3LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 3LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-81 供應(yīng)商器件封裝:SC-81（SSFP） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3LN01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 3LN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 / MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250
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