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40EUZ06JDT

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40EUZ06JDT 技術參數
  • 40EPS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):450ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):450ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.25V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):180ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40F125E 40F12K 40F12KE 40F12R 40F12RE 40F13K 40F13KE 40F150 40F150E 40F15K 40F15KE 40F15R 40F15RE 40F17K 40F17KE 40F180 40F180E 40F1K0
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