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5LN01SS-TL-H

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  • 封裝
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  • 操作
  • 5LN01SS-TL-H
    5LN01SS-TL-H

    5LN01SS-TL-H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • SOT-623

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 5LN01SS-TL-H
    5LN01SS-TL-H

    5LN01SS-TL-H

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生

    電話：13487865852

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 42073

  • onsemi

  • SC-81

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
5LN01SS-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
5LN01SS-TL-H 技術參數
  • 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:1 5LN01SP 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:500 5LN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:1 5LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5LP01SS-TL-H 5LP01S-TL-E 5LPCV24110 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2
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