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5LP01C-TB-H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
5LP01C-TB-H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
5LP01C-TB-H 技術(shù)參數(shù)
  • 5LP01C-TB-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標準包裝:1 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2
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