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6AE4F3CF0023N

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

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6AE4F3CF0023N 技術參數
  • 6A8-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A8TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:150pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 6A8-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 6AT158-T2 6AT17 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T 6AT56-T2 6AT6 6AT7
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