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7200L15SOI

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功能描述
先進先出
RoHS
否
制造商
IDT
電路數量
數據總線寬度
18 bit
總線定向
Unidirectional
存儲容量
4 Mbit
定時類型
Synchronous
組織
256 K x 18
最大時鐘頻率
100 MHz
訪問時間
10 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
6 V
最大工作電流
35 mA
最大工作溫度
+ 85 C
封裝 / 箱體
TQFP-80
封裝

7200L15SOI 技術參數

7200L15SOGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 256 x 9 28-Pin SOIC T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:28 SOIC - Tape and Reel 7200L15SOGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 256 x 9 28-Pin SOIC Tube/Tray 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:28 SOIC - Rail/Tube 制造商:IDT 功能描述:FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 7200L15JI8 功能描述:先進先出 RoHS:否制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: 7200L15JI 功能描述:先進先出 RoHS:否制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: 7200L15J8 功能描述:先進先出 RoHS:否制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: 7200L25JI 7200L25JI8 7200L25TP 7200L25TPI 7200L30TDB 7200L35J 7200L35J8 7200L35TP 7200L50J 7200L50J8 7200L50TP 7200PKS 7201 72010 BRGNDY 3/16"X150' 720-10007-00300 720-10008-00200 720-10010-00025 720-10020-00300