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A1P4N

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A1P4N 技術參數

A1P35S12M3-F 功能描述:ACEPACK 1 SIX PACK 1200 V 35 A T 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:22 A1P35S12M3 功能描述:ACEPACK 1 SIX PACK 1200 V 35 A T 制造商:stmicroelectronics 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.154nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:ACEPACK? 1 標準包裝:22 A1P25S12M3-F 功能描述:ACEPACK 1 SIX PACK 1200 V 25 A T 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:22 A1P25S12M3 功能描述:ACEPACK 1 SIX PACK 1200 V 25 A T 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:22 A1N5404G-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO27 制造商:comchip technology 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-27 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 A-1PA-113-035B2 A-1PA-113-039G2 A-1PA-113-045B2 A-1PA-113-048B2 A-1PA-113-050B2 A-1PA-113-050G2 A-1PA-113-060B2 A-1PA-113-064B2 A-1PA-113-077B2 A-1PA-113-084B2 A-1PA-113-085B2 A-1PA-113-089B2 A-1PA-113-095B2 A-1PA-113-100B2 A-1PA-113-100G2 A-1PA-113-125B2 A-1PA-113-125W2 A-1PA-113-137B2