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ALD1106DB

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  • 制造商
  • ALD
  • 制造商全稱
  • Advanced Linear Devices
  • 功能描述
  • QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY
ALD1106DB 技術(shù)參數(shù)
  • ALD1105SBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1105PBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:14-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1103SBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40mA，16mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1103PBL 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 和 2 P 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40mA，16mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:14-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1102SAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD110802SCL ALD110804PCL ALD110804SCL ALD110808APCL ALD110808ASCL ALD110808PCL ALD110808SCL ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL ALD110904PAL
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