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AO4302

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：馬先生

    電話：19166264056

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：周小姐

    電話：1916620305713760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

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  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

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  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人：彭先生

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    地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯系人：韓小姐

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    地址：北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室，新中發電子市場B1303-b1305柜臺

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AO4302 技術參數
  • AO4296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3130pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 13.5A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000 AO4294 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2420pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4292E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:1 AO4292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4290A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4525pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 15.5A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:2,500 AO4403L AO4404B AO4404BL AO4404BL_101 AO4405E AO4405L AO4406 AO4406A AO4407A AO4407B AO4407BL AO4407L AO4409 AO4411 AO4411L AO4413 AO4413L AO4415
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