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AO4414/TSM4414

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  • AO4414/TSM4414
    AO4414/TSM4414

    AO4414/TSM4414

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • 臺半

  • SOP8

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
AO4414/TSM4414 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AO4414/TSM4414 技術參數
  • AO4413L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 15A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4413 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 15A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4411L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4411 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4409 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4425 AO4427 AO4430 AO4433 AO4435 AO4435_102 AO4435_103 AO4435L_102 AO4437 AO4437L AO4438 AO4438_101 AO4440 AO4441 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446
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