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AO4435L_102

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
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  • 1
AO4435L_102 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 10.5A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 14 毫歐 @ 11A,20V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 24nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1400pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 3.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝
  • 8-SO
  • 標準包裝
  • 1
AO4435L_102 技術參數
  • AO4435_103 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4435_102 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4435 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4433 功能描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4430 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):124nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7270pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L AO4450 AO4450_101 AO4450L AO4452 AO4453 AO4454 AO4455 AO4456 AO4459 AO4459L AO4466
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