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AO4812_101

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AO4812_101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 30V 6A
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 過期
  • FET 類型
  • 2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 6A
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 30 毫歐 @ 6A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 6.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 310pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝
  • 8-SO
  • 標準包裝
  • 1
AO4812_101 技術參數
  • AO4807L 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4807_101 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4807 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4806L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 9.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1810pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4806 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 9.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1810pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4822_101 AO4822A AO4822AL AO4822AL_102 AO4822L_101 AO4826 AO4828 AO4828L AO4830 AO4830L AO4832 AO4838 AO4840 AO4840E AO4842 AO4842L AO4850 AO4850L
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