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AON4703/SSF4703DC

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AON4703/SSF4703DC 技術參數
  • AON4703 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:最後搶購 標準包裝:3,000 AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.3A,3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.3A,3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:3,000 AON4421_001 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226
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