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AON6314

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AON6314 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
85A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
20nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1900pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
32.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標準包裝
3,000

AON6314 技術參數

AON6312 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:85A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.85 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6298 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1307pF @ 50V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AON6294 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），52A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2265pF @ 50V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3830pF @ 50V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AON6290 功能描述:MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4600pF @ 50V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400 AON6400L_002 AON6403 AON6404 AON6404A AON6404A_001 AON6405L AON6407 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001