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AON64914

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AON64914 技術參數

AON6484 功能描述:MOSFET N-CH 100V 3.3A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.3A（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:942pF @ 50V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AON6482 功能描述:MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Ta），28A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6458 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Ta），14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6454A_001 功能描述:MOSFET N-CH 150V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6454A 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2055pF @ 75V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AON6512 AON6514 AON6516 AON6516_151 AON6518 AON6520 AON6522 AON6522_002 AON6524 AON6524_001 AON6526 AON6528 AON6530 AON6532 AON6532P AON6534 AON6536 AON6538