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AON7400AL_101

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 15A（Ta），40A（Tc）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 24nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1380pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 3.1W（Ta），25W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 7.5 毫歐 @ 20A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN（3x3）
  • 封裝/外殼
  • 8-SMD，扁平引線
  • 標準包裝
  • 5,000
AON7400AL_101 技術參數
  • AON7400AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），40A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標準包裝:5,000 AON7400A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON7400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta），26A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1452pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON7380 功能描述:MOSFET N-CH DFN 3X3 EP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:825pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:5,000 AON7296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta），12.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:66 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:415pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON7403L_001 AON7404 AON7405 AON7406 AON7407 AON7408 AON7409 AON7410 AON7410L_101 AON7412 AON7414 AON7416 AON7416_101 AON7418 AON7418A AON7421 AON7422E AON7422E_101
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