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AON7422G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AON7422G
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
10000
AOS
DFN8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

AON7422G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
AOS
DFN3x3
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AON7422GS
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
94642
Alpha & Omega Semiconduct
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

AON7422GS
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
71531
Alpha & Omega Semiconduct
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

AON7422G
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
DFN33
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

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AON7422G PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
32A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
4.6 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-DFN-EP（3x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
標準包裝
5,000

AON7422G 技術參數

AON7422E_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2940pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），36W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:5,000 AON7422E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2940pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:5,000 AON7421 功能描述:MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4550pF @ 10V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標準包裝:1 AON7418A 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2994pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerWDFN 標準包裝:3,000 AON7418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 46A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2994pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標準包裝:1 AON7444 AON7444L AON7446 AON7448 AON7448L AON7450 AON7450L AON7452 AON7452L AON7458 AON7460 AON7462 AON7466 AON7474A AON7502 AON7506 AON7508 AON7510