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AOTF18N65L

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOTF18N65L
    AOTF18N65L

    AOTF18N65L

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • AOTF18N65L
    AOTF18N65L

    AOTF18N65L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • AOS美國萬代

  • TO220F

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • AOTF18N65L
    AOTF18N65L

    AOTF18N65L

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐

    電話:1916620305713760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 68207

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-220-3 Full Pack

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
AOTF18N65L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOTF18N65L 技術參數
  • AOTF18N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):390 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:50 AOTF16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):370 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2297pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF15S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF15S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):717pF @ 100V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF15B65M2 功能描述:IGBT 650V 15A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.15V @ 15V,15A 功率 - 最大值:36W 開關能量:290μJ(開),200μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:32nC 25°C 時 Td(開/關)值:15ns/94ns 測試條件:400V,15A,20 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):298ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF20S60L AOTF2142L AOTF2210L AOTF22N50 AOTF22N50L AOTF240L AOTF256L AOTF25S65 AOTF2606L AOTF260L AOTF2610L AOTF2618L AOTF262L AOTF266L AOTF27S60L AOTF286L AOTF288L AOTF290L
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