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AOTF6N90

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOTF6N90
    AOTF6N90

    AOTF6N90

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • AOTF6N90
    AOTF6N90

    AOTF6N90

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-220F

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • AOTF6N90
    AOTF6N90

    AOTF6N90

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 24680

  • 18+

  • 1000

  • 新批次

  • -
  • 只做原裝 假一賠十

  • AOTF6N90
    AOTF6N90

    AOTF6N90

  • 深圳市寶芯創電子有限公司
    深圳市寶芯創電子有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規13%專

    資質:營業執照

  • 59990

  • AO/萬代

  • TO-220F

  • 17+

  • -
  • 100%原裝,誠信為本,等你咨詢!

  • 1/1頁 40條/頁 共32條 
  • 1
AOTF6N90 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOTF6N90 技術參數
  • AOTF5N50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):620pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF5N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.98V @ 15V,5A 功率 - 最大值:25W 開關能量:80μJ(開),70μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:14nC 25°C 時 Td(開/關)值:8.5ns/106ns 測試條件:400V,5A,60 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):195ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF5B60D 功能描述:IGBT 600V 14A 31.2W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.8V @ 15V, 5A 功率 - 最大值:31.2W 開關能量:140μJ(開),40μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:9.4nC 25°C 時 Td(開/關)值:12ns/83ns 測試條件:400V,5A,60 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):98ns 封裝/外殼:TO-220-3 整包 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF8N60 AOTF8N65 AOTF8N80 AOTF8T50P AOTF8T50P_001 AOTF9N50 AOTF9N70 AOTF9N90 AOTS40B65H1 AOU1N60 AOU2N60 AOU2N60_001 AOU2N60A AOU3N50 AOU3N60 AOU3N60_001
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