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APT10035B2FLLG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT10035B2FLLG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯專營優勢產品

APT10035B2FLLG
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
3
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT10035B2FLLG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
T-MAX
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT10035B2FLLG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT10035B2FLLG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共19條
1

您是不是要找： APT10035B2LLG APT10035JFLL APT10035JLL APT10035LLLG APT1003RBLLG APT1003RKLLG APT10045B2LLG APT10045JLL APT10078BLLG

APT10035B2FLLG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT10035B2FLLG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT10035B2FLLG 技術參數

APT10021JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 18.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:395nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT10021JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 18.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:395nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT1001RBN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT1001R6BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:266W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT1001R1BN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 5.25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT10078SLLG APT10090BFLLG APT10090BLLG APT100DL60BG APT100DL60HJ APT100F50J APT100GF60JU2 APT100GF60JU3 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2