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APT12067LLL

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說明
操作

APT12067LLL
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業(yè)執(zhí)照
12984
APT
直插/貼片
2024+
-
全國最底價現(xiàn)貨

APT12067LLL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT12067LLL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS

APT12067LLL 技術參數(shù)

APT12067JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:290nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:570 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT12067JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT12067B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4420pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:565W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 封裝/外殼:TO-247-3 變式標準包裝:1 APT12067B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT12057LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:570 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:185nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA APT1212WAW APT1212WAY APT1221 APT1221A APT1221AX APT1221AZ APT1221S APT1221SX APT1221SZ APT1221W