欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > A字母型號搜索 >

APT17N80CC3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " APT17N80CC3 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APT17N80SC3G APT17NTR-G1 APT18F60B APT18F60S APT18M100B APT18M80B APT18M80S APT19F100J APT19M120J

APT17N80CC3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT17N80CC3 技術參數(shù)

APT17N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 APT17F80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:122nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3757pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:580 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:30 APT17F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:580 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:122nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3757pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT17F120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:580 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT17F100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4845pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 9A、 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:30 APT200GN60B2G APT200GN60J APT200GN60JDQ4 APT200GN60JDQ4G APT200GN60JG APT200GT60JR APT2012CGCK APT2012EC APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC