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APT19F100J

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 250

  • APT

  • 19A/1000V/MOS/1U

  • 2024+

  • -
  • 全新現貨價格優勢

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 5

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • ISOTOP,SOT-227

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • APT

  • MODULE

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66880

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 22+

  • -
  • 授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐

    電話:1916620305713760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66880

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 22+

  • -
  • 授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 30

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • APT19F100J
    APT19F100J

    APT19F100J

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:雷精云

    電話:18988598856

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 4000

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 2219+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共28條 
  • 1
APT19F100J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • POWER MOS 8™
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APT19F100J 技術參數
  • APT18M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3760pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 APT18M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3760pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT18M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4845pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT18F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):90nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3550pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):335W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):370 毫歐 @ 9A、 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 標準包裝:1 APT18F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):390 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3550pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC
配單專家

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