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APT45GR65B2DU30

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT45GR65B2DU30
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
PLUS247,T-Max
25+
-
國產品牌，替代進口

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1

您是不是要找： APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G

APT45GR65B2DU30 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT45GR65B2DU30 PDF下載

功能描述
IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2]
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
有效
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
118A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
224A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.4V @ 15V，45A
功率 - 最大值
543W
開關能量
*
輸入類型
標準
柵極電荷
203nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/100ns
測試條件
433V，45A，4.3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
80ns
封裝/外殼
TO-247-3
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
T-MAX? [B2]
標準包裝
1

APT45GR65B2DU30 技術參數

APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關能量:900μJ（開），580μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.94nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關能量:900μJ（開），904μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/102ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關能量:900μJ（開），905μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/100ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG