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APT50N50JVR

配單專家企業(yè)名單

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封裝
批號
價格
說明
操作

APT50N50JVR
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
9766
APT
模塊
12+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

APT50N50JVR
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
N/A
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

您是不是要找： APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL

APT50N50JVR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT50N50JVR 技術(shù)參數(shù)

APT50MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:71A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:179nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2980pF @ 1000V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75JLLU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75JLLU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 28.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5590pF @ 25V 功率 - 最大值:570W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT50M65LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 33.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7010pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J