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APTC60AM70T1G

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  • APTC60AM70T1G
    APTC60AM70T1G

    APTC60AM70T1G

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 31693

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTC60AM70T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60AM70T1G 技術參數
  • APTC60AM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM45BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:3?N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM45B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:3?N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM42F2G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道(相角) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):66A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):510nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):14600pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTC60AM35T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DDAM70T1G APTC60DDAM70T3G APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G
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