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APTGF150DU120TG

配單專家企業名單

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供應商
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廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGF150DU120TG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
MICROSEMI POWER PRODUCTS
標準封裝
2010+
-
全新原裝100%正品保證質量

APTGF150DU120TG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
30
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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APTGF150DU120TG PDF下載

功能描述
IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGF150DU120TG 技術參數

APTGF150DH120G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150A60T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 833W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF150A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 961W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:210A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G